9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDPF18N20FT-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDPF18N20FT-G参考价格为0.88305美元。onsemi FDPF18N20FT-G封装/规格：MOSFET N-CH 200V 18A TO220F。您可以下载FDPF18N20FT-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FDPF17N60NT是MOSFET UniFET2 600V，包括管封装，其设计为单位重量为0.080072盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供62.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为62 ns，上升时间为79 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为290mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为128ns，典型接通延迟时间为48ns，正向跨导Min为21S。
FDPF18N20FT是MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3，包括+/-30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在50ns上升时间内提供，器件具有120 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为41 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为18 A，正向跨导最小值为13.6 S，下降时间为40 ns，配置为单一。
FDPF16N50UT是MOSFET N-CH 500V 15A TO-220F-3，包括80ns的下降时间，它们设计为以23S的最小正向跨导，Id连续漏极电流工作，如数据表注释所示，用于15A，提供安装类型特征，如通孔，通道数设计为在1个通道中工作，以及TO-220-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，Pd功耗为38.5W，器件提供32nC Qg栅极电荷，器件具有370mOhms的Rds漏极-源极电阻，上升时间为150ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为40ns，单位重量为0.080072oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V，第Vgs栅极源极阈值电压为5V。
