9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7868ADP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7868ADP-T1-GE3参考价格为2.67300美元。Vishay Siliconix SI7868ADP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8。您可以下载SI7868ADP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI7868ADP-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI7868ADP-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8，包括卷轴封装，它们设计用于SI7868ADD-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有83 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为120 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为28ns，正向跨导最小值为150S，沟道模式为增强型。
SI7866DP-T1-GE3，带有VIS制造的用户指南。SI7866DP-T1-GE3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SI7868ADP，带有SI制造的电路图。SI7868ADP采用QFN-8封装，是FET的一部分-单个。
