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CSD17313Q2Q1T是MOSFET Automotive 30-V N沟道NexFET？功率MOSFET 6-WSON-55至150，包括CSD17313Q2Q1系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如WSON-6，信道数设计用于1信道，以及单配置，该器件也可以用作1 N信道晶体管类型。此外，Pd功耗为17W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为1.3 ns，上升时间为3.9 ns，Vgs栅极-源极电压为+10V/-8 V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.3V，Rds漏极-源极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.2ns，典型接通延迟时间为2.8ns，Qg栅极电荷为2.1nC，正向跨导最小值为16S，沟道模式为增强。
CSD17313Q2Q1是MOSFET N-CH 30V 5A 6SON，包括1.3 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间特性，如2.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为4.2 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD17313Q2Q1系列，上升时间为3.9 ns，漏极源极电阻Rds为32 mOhms，Qg栅极电荷为2.1 nC，Pd功耗为2.3 W，封装为卷轴，封装盒为WSON-FET-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5 A，正向跨导最小值为16 S，下降时间为1.3 ns，配置为单一。
CSD17313Q2T是TI制造的“MOSFET 30V”。CSD17313Q1T以SON-6封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 30 V、Trans MOSFET N-CH Si 30 V 7.3A 6引脚WSON EP T/R、MOSFET 30伏、N沟道NexFET功率MOSFET”。
