9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDB2532-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB2532-F085参考价格$3.38340。onsemi FDB2532-F085封装/规格：MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB。您可以下载FDB2532-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB2532是MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于FDB2532_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.046296盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为310W，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为5870pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为8A（Ta），79A（Tc），最大Id Vgs的Rds为16mOhm@33A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为107nC@10V，Pd功耗为310W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为79 A，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Rds漏极源极电阻为14 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为16ns，信道模式为增强。
FDB24AN06LA0是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB。FDB24AN06LA0可用于TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AA、N沟道60V 7.8A（Ta）、40A（Tc）75W（Tc。
FDB2532（FDI2532），带有FAIRCHILD制造的电路图。FDB2532（FDI2532）采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
