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CSD16321Q5是MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为3100pF@12.5V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为31A（Ta），100A（Tc），最大Id Vgs为2.4mOhm@25A，8V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为19nC@4.5V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为15ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为31A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型导通延迟时间为9ns，并且Qg栅极电荷为14nC，并且信道模式为增强。
CSD16301Q2是MOSFET N-CH 25V 6-SON，包括1.55V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在1.1 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压如数据表注释所示，用于10 V，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如25 V，典型开启延迟时间设计为2.7 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件以NexFET商品名提供，器件具有技术Si，供应商器件包为6-SON，系列为NexFET？，上升时间为4.4 ns，Rds On Max Id Vgs为24 mOhm@4A，8V，Rds On Drain Source电阻为23 mOhm，Qg栅极电荷为2 nC，功率最大值为2.3W，Pd功耗为2.3 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为6-SMD，扁平引线，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为340pF@12.5V，Id连续漏极电流为5A，栅极电荷Qg-Vgs为2.8nC@4.5V，正向跨导最小值为16.5 S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为1.7 ns，漏极到源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id 25°C为5A（Tc），配置为单一。
CSD15571Q2是MOSFET 20V N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括单一配置，它们设计为以4.1 ns的下降时间运行，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于52 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为WSON-FET-6，器件采用卷筒封装，器件具有2.5W的Pd功耗，Qg栅极电荷为2.5nC，Rds漏极-源极电阻为19.2mOhms，上升时间为17.2ns，系列为CSD15571Q2，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为9.9ns，典型接通延迟时间为17.2ns，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极电压为20V。
