特征
最大ros(on)=55 m2,Ves=10 V,lp=4.5A最大ros(on)=80 m2,Ves=6 V,lp=3.7A
用于极低ros的高性能沟槽技术(开启)
广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力100%UIL测试DRoHS兼容
一般说明
这种N沟道MOSFET是使用Fairchild半导体公司先进的Power Trench?该工艺已被特别定制以最小化导通电阻并保持优异的开关性能。
应用
■DC-DC转换
特色
- 最大rDS(开启)=55 mΩ VGS=10 V,ID=4.5 A时
- 最大rDS(开启)=80 mΩ VGS=6 V,ID=3.7 A时
- 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
- 广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
- 100%UIL测试
- 符合RoHS
应用
- 家用电器
- DC-DC转换
(图片:引线/示意图)