9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDB0690N1507L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB0690N1507L价格参考2.98000美元。onsemi FDB0690N1507L封装/规格：MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7。您可以下载FDB0690N1507L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB035AN06A0是MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于FDB035AN06A0_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.046296盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TO-263-3、D2Pak（2引线+标签），TO-263AB封装盒，该器件也可以用作Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-263AA，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为310W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为6400pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为22A（Ta），80A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3.5 mOhm@80A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为124nC@10V，Pd功耗为310 W，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为13 ns，上升时间为93 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为3.2 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为15ns，信道模式为增强。
FDB0300N1007L，带用户指南，包括2 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如28 ns，典型的关闭延迟时间设计为52 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为29 ns，器件的漏极-源极电阻为11 mOhm，Qg栅极电荷为81 nC，Pd功耗为3.8 W，封装为卷轴式，封装外壳为D2PAK-7，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为200 A，正向跨导最小值为85 S，下降时间为18 ns，配置为1 N信道，信道模式为增强。
FDB031N08是MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于121 ns，提供Id连续漏极电流功能，如235 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，Pd功耗为375 W，Rds漏极-源极电阻为3.1 mOhms，上升时间为191 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为335 ns，典型接通延迟时间为230ns，单位重量为0.062153oz，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极电压为20V。
