这些器件是基于创新的专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET，该技术与STMicroelectronics著名的PowerMESH水平布局结构相结合。所得到的产品具有极低的导通电阻，这是硅基功率MOSFET中无法比拟的，因此特别适用于需要卓越功率密度和卓越效率的应用。
特色
- 全球最佳RDS（on）*区域
- 更高的VDSSrating
- 卓越的切换性能
- 易于驾驶
- 100%雪崩测试
- 高dv/dt能力
STB35N65DM2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Tc） 最大功耗: 210W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 52.36616 | 52.36616 |
| 10+ | 47.01366 | 470.13664 |
| 100+ | 38.51846 | 3851.84660 |
| 500+ | 32.79005 | 16395.02850 |
| 1000+ | 31.42535 | 31425.35000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥47.58585
-
数量:
- +
- 总计: ¥52.37
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 漏源电流 (Id) @ 温度 28A（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 54 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 DPAK
- 导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@14A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2400 pF@100 V
- 最大功耗 210W（Tc）
- 材质 -
- 色彩/颜色 -
STB35N65DM2 产品详情
STB35N65DM2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | STBA-RB2-MB3 | 邦纳 (Banner) | BRACKET: RUN BAR SWIVEL MOUNTING | ¥637.3752 |
 | STB-3/8 TC WH | 塔恩警报产品公司 (Tane Alarm) | 种类: 簧片开关 输出类别: 无 电源电压: 100伏 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~60摄氏度 | ¥12.53022 |
 | STB-10 WH | 塔恩警报产品公司 (Tane Alarm) | 种类: 簧片开关 电源电压: 100伏 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~60摄氏度 | ¥87.63909 |
 | STBVP6LQ | 邦纳 (Banner) | 光源: 绿色LED 输出配置: PNP-开路集电极 电源电压: 10伏~30伏 响应时长: 20ms | ¥1,108.1637 |
 | STBVP6Q5 | 邦纳 (Banner) | 传感方式: 透射型 光源: 绿色LED 输出配置: PNP-开路集电极 电源电压: 10伏~30伏 响应时长: 20ms | ¥1,108.1637 |
 | STBC12 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | FE STBC12 GUNMETAL SAFETY TIP TA | ¥96.83757 |
| STB15-9-2 | 泰科航天 (TE) | STB15-9-2 | ¥0.11444 |
| STB070A1483 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | BG STB070A1483 COPPER FLEX BRAID | ¥736.45807 |
| STB50N30M8AG | 意法半导体 (STMicroelectronics) | D2PAK | ¥0.66388 |
| STB1081TF4G | 安盛美 (onsemi) | IGBT D2PAK 350V SPECIAL | ¥5.86675 |
STB35N65DM2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STB35N65DM2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STB35N65DM2价格参考￥47.585853，你可以下载 STB35N65DM2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STB35N65DM2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
