9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的R6020ANX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。R6020ANX价格参考7.05000美元。Rohm Semiconductor R6020ANX封装/规格：MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM。您可以下载R6020ANX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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R6020835ESYA是DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB，包括散装包装，它们设计为与DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备包功能，如DO-205AA、DO-9，速度设计为在标准恢复>500ns、>200mA（Io）、，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作50mA@800V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.5V@800A，该器件提供800V电压直流反向Vr Max，该器件具有350A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-45°C~150°C。
R6020825HSYA是DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB，包括2V@800A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-205AB、DO-9的供应商设备包，该设备提供标准恢复>500ns、>200mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为在1μs内工作，除了散装包装外，该设备还可以用作DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱，其工作温度结范围为-45°C~150°C，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50mA@800V，电流平均整流Io为250A。
R6020ANJTL是MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷轴封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于R6020ANJ，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
