9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFI9540GPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFI9540GPBF价格参考3.79000美元。Vishay Siliconix IRFI9540GPBF封装/规格：MOSFET P-CH 100V 11A TO220-3。您可以下载IRFI9540GPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFI9530GPBF是MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供42 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为39 ns，上升时间为52 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds漏极源极电阻为300mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
IRFI9540G是MOSFET P-CH 100V 11A TO220FP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns，典型的关闭延迟时间设计为51 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为110 ns，器件的漏极电阻为200 mOhms，Pd功耗为48 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为86 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFI9530G是由IR制造的MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP。IRFI9580G可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH100V 7.7A-TO220FP、P沟道100V 7.7V（Tc）42W（Tc。
