特色
- VGS=10V，ID=80 A时，典型RDS（开）=0.5 mΩ
- VGS=10V，ID=80 A时，典型Qg（tot）=220 nC
- UIS能力
- 符合RoHS
应用
- 工业电机驱动
- 工业电源
- 工业自动化
- 电池操作工具
- 蓄电池保护
- 太阳能转化器
- 通用电源
- 能量逆变器
- 能量存储
- 负载开关
FDBL0065N40
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300A (Tc) 最大功耗: 429W (Tj) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 52.22130 | 52.22130 |
| 10+ | 47.15852 | 471.58522 |
| 100+ | 39.04357 | 3904.35770 |
| 500+ | 34.89571 | 17447.85650 |
| 2000+ | 34.89578 | 69791.57000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥46.57185
-
数量:
- +
- 总计: ¥52.22
在线询价
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 包装/外壳 8-PowerSFN
- 漏源电流 (Id) @ 温度 300A (Tc)
- 供应商设备包装 8-HPSOF
- 最大功耗 429W (Tj)
- 导通电阻 Rds(ON) 0.65欧姆@80A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 296 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15900 pF@25 V
FDBL0065N40 产品详情
N沟道PowerTrench®MOSFET，40 V，300 A，0.65 mΩ
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| FDBD-25PF(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
| FDBD-25P-CTK1(50) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥339.64855 |
| FDBD-25PF-610A220(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥295.98835 |
| FDBD-25S-562A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥165.71755 |
| FDBD-25S-562A360(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥349.7017 |
| FDBD-25S-562A660(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥213.17303 |
| FDBD-25S-610A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥87.23349 |
| FDBD-25S-610A600(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥285.86278 |
FDBL0065N40所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDBL0065N40 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDBL0065N40价格参考￥46.571847，你可以下载 FDBL0065N40中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDBL0065N40规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
