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APT56M60B2是MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX，包括通孔安装型，设计用于POWER MOS 8商标，数据表说明中显示了用于T-MAX-3的封装盒，提供Si、Pd等技术特性。功耗设计为1.040 kW，最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃。此外，下降时间为60 ns，器件的上升时间为75 ns，器件具有30 V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为60 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs栅极源极阈值电压为4 V，Rds漏极源极电阻为90 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为190ns，典型接通延迟时间为65ns，Qg栅极电荷为280nC，正向跨导Min为55S，沟道模式为增强。
APT56M60L是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括硅技术。
APT58F50J是Microsemi制造的分立半导体模块电源FREDFET-MOS8。APT58F50J以SOT227封装形式提供，是桥式整流器的一部分，支持分立半导体模块电源FREDFET-MOS8，N通道500V 58A（Tc）540W（Tc）底盘安装ISOTOP？，Trans MOSFET N-CH 500V 58A 4引脚SOT-227。
