9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT32M80J，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT32M80J参考价格30.70500美元。Microchip Technology APT32M80J封装/规格：MOSFET N-CH 800V 33A ISOTOP。您可以下载APT32M80J英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT3216ZGCK是LED绿色透明1206 SMD，包括绿色，它们设计用于HELI2系列，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于1206（3216公制），以及表面安装安装类型，该设备也可用于3.20mm长x 1.60mm宽的尺寸尺寸。此外，供应商设备包为芯片LED，该设备提供120°视角，该设备具有3.3V正向电压Vf Typ，电流测试为20mA，毫米烛光额定值为350mcd，波长峰值为515nm，透镜样式尺寸为平顶矩形，2.00mm x 1.60mm，透镜颜色为无色，透镜透明度为透明，主波长为525nm，最大高度为0.75mm，最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为3.3 V，照明颜色为绿色，LED尺寸为3.2 mm x 1.6 mm，如果正向电流为20 mA，波长色温为525 nm，发光强度为350mcd，镜头颜色样式为水透明。
APT32F120J是分立半导体模块功率FREDFET-MOS8，包括2.5 V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1.2 kV，提供单位重量功能，如1.058219 oz，典型开启延迟时间设计为100 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS 8 ISOTOP，该器件的上升时间为60纳秒，器件的漏极源极电阻为270毫欧姆，产品为功率MOSFET模块，Pd功耗为960 W，封装外壳为SOT-227-4，安装方式为螺旋式，Id连续漏极电流为33 a，下降时间为90纳秒，配置为单一。
APT32M100B2带有由APT制造的电路图。APT32M1000B2采用TO-247MAX封装，是IC芯片的一部分。
