9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM50DAM19G,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM50DAM19G参考价格为181.72667美元。微芯片技术APTM50DAM19G封装/规格:MOSFET N-CH 500V 163A SP6。您可以下载APTM50DAM19G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM50AM70FT1G带有引脚细节,包括散装封装,设计用于SP1封装外壳,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),提供底盘安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于SP1,以及2 N沟道(半桥)FET类型,该设备也可用于390W最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为500V,该器件提供10800pF@25V输入电容Cis-Vds,该器件具有FET特性标准,25°C的电流连续漏极Id为50A,最大Id Vgs的Rds为84mOhm@42A,10V,Vgs最大Id为5V@2.5mA,栅极电荷Qg-Vgs为340nC@10V。
APTM50AM38STG是MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4,包括5V@5mA Vgs th Max Id,它们设计用于SP4供应商设备包,Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中,用于45 mOhm@45A,10V,提供功率最大功能,如694W,包装设计用于批量工作,以及SP4包装箱,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为底盘安装,该器件提供11200pF@25V输入电容Cis-Vds,该器件具有246nC@10V栅极电荷Qg Vgs,FET类型为2 N沟道(半桥),FET特性为标准,漏极-源极电压Vdss为500V,25°C电流连续漏极Id为90A。
APTM50DAM17G是由Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-Mosfet。APTM50DAM17G以模块封装形式提供,是桥式整流器的一部分,并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet,N通道500V 180A(Tc)1250W(Tc)底盘安装SP6。