9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM2DAM05G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM0DAM05G参考价格为185.47000美元。Microchip Technology APTM2DAM05G封装/规格：MOSFET N-CH 200V 317A SP6。您可以下载APTM2DAM05G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM2AM10FTG是MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4，包括散装封装，它们设计用于SP4封装盒，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于SP3，以及2 N沟道（半桥）FET类型，该器件还可以用作694W功率最大值。此外，漏极到源极电压Vdss为200V，该器件提供13700pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为175A，最大Id Vgs的Rds为12 mOhm@87.5A，10V，Vgs th最大Id为5V@5mA，栅极电荷Qg-Vgs为224nC@10V。
APTM20AM10STG是MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4，包括5V@5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP4供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于12 mOhm@87.5A，10V，提供功率最大功能，如694W，包装设计用于批量工作，以及SP4封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供13700pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有224nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为200V，25°C电流连续漏极Id为175A。
APTM2DAM04G是Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-Mosfet。APTM2DAM04G以B120封装形式提供，是桥式整流器的一部分，支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道200V 372A（Tc）1250W（Tc）底盘安装SP6。
