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APT56M50L是MOSFET N-CH 500V 56A TO-264，包括卷筒包装，它们设计为以0.373904盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供POWER MOS 8等商标功能，包装盒设计为在TO-264-3中工作，以及Si技术，该设备还可以用作780 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为33 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为56 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为85mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为38ns，Qg栅极电荷为220nC，正向跨导最小值为43S，沟道模式为增强。
APT56M60B2是MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX，包括4 V Vgs栅源阈值电压，设计用于30 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，具有典型的开启延迟时间特性，如65 ns，典型的关闭延迟时间设计为190 ns，除了N沟道晶体管极性之外，该器件还可以用作POWER MOS 8商标。此外，该技术为Si，器件的上升时间为75 ns，器件的漏极-源极电阻为90 mOhms，Qg栅极电荷为280 nC，Pd功耗为1.040 kW，封装外壳为T-Max-3，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为60A，正向跨导Min为55S，下降时间为60ns，信道模式为增强。
APT56M60L是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括硅技术。
