这些器件是使用SuperMESH 5技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的雪崩式坚固高压功率MOSFET技术基于创新的专有垂直结构。其结果是,对于需要高功率密度和高效率的应用,导通电阻和超低栅极电荷显著降低。
特色
- TO-220世界数据库RDS(打开)
- 全球最佳FOM(绩效指标)
- 超低门电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 63.80994 | 63.80994 |
10+ | 57.67521 | 576.75213 |
100+ | 47.74809 | 4774.80940 |
500+ | 42.67574 | 21337.87300 |
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这些器件是使用SuperMESH 5技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的雪崩式坚固高压功率MOSFET技术基于创新的专有垂直结构。其结果是,对于需要高功率密度和高效率的应用,导通电阻和超低栅极电荷显著降低。
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