该功率MOSFET系列采用STMicroelectronics独特的STripFET工艺实现,专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此,它适合作为高级高效隔离DC-DC转换器的主开关
特色
- 异常v/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低门电荷
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 37.73550 | 37.73550 |
10+ | 33.89677 | 338.96772 |
100+ | 27.77072 | 2777.07270 |
500+ | 23.64068 | 11820.34050 |
1000+ | 22.65666 | 22656.66000 |
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该功率MOSFET系列采用STMicroelectronics独特的STripFET工艺实现,专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此,它适合作为高级高效隔离DC-DC转换器的主开关
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