9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF11NM60ND，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF11NM60ND价格参考$4.21000。STMicroelectronics STF11NM60ND封装/规格：MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP。您可以下载STF11NM60ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF11NM50N是MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有25W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏电流为8.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为470mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为19nC，沟道模式为增强。
STF11N65M5是MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.011640 oz单位重量运行，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该N沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，技术设计用于Si，以及MDmesh M5系列，该器件也可以用作480mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为85 W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-220-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为9 a。
STF11NM60N是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP。STF11NM6 0N可提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 10A TO/220FP、N通道600V 10A（Tc）25W（Tc）通孔TO-220FP。
