9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFIB6N60APBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFIB6N60APBF参考价格为4.37000美元。Vishay Siliconix IRFIB6N60APBF封装/规格：MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3。您可以下载IRFIB6N60APBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFIB5N65APBF是MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供60 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为5.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为930mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
IRFIB5N65A是由IR制造的MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP。IRFIB5N55A可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH650V 5.1A-TO220FP、N沟道650V5.1A（Tc）60W（Tc）通孔TO-220-33、Trans-MOSFETN-CH650V5.1A3-Pin（3+Tab）TO-220FP。
IRFIB6N60A是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP。IRFIB6N70A可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH600V 5.5A TO 220FP、N通道600V 5.5A（Tc）60W（Tc。
