9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFZ34STRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFZ34STRLPBF参考价格为1.53808美元。Vishay Siliconix IRFZ34STRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK。您可以下载IRFZ34STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFZ34NSTRRPBF是MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供68 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为49 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为29 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为34nC，正向跨导最小值为6.5S，沟道模式为增强。
IRFZ34NSTRLPBF是MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作40mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为22.7 nC，该器件提供68 W Pd功耗，该器件具有一个封装卷轴，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为29 a。
IRFZ34S是由IR制造的N沟道60V 30A（Tc）3.7W（Ta）、88W（Tc）表面贴装D2PAK。IRFZ34S以TO263封装形式提供，是IC芯片的一部分，并支持N沟道60 V 30B（Tc，3.7W（Ta），88W（Tc。
