9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBF20STRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBF20STRLPBF参考价格为1.53808美元。Vishay Siliconix IRFBF20STRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK。您可以下载IRFBF20STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFBF20SPBF是MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds漏极漏极-漏极电阻为8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
IRFBF20S，带有IR制造的用户指南。IRFBF20S采用TO-263封装，是IC芯片的一部分，N沟道900V 1.7A（Tc）3.1W（Ta），54W（Tc）表面安装D2PAK，Trans-MOSFET N-CH 900V 1.76A 3引脚（2+Tab）D2PAK。
IRFBF20STRL是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK。IRFBF20s TRL有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单，并支持MOSFET N-CH900V 1.7B D2PAK，N沟道900V 1.7C（Ta）3.1W（Ta），54W（Tc）表面安装D2PAK。
