9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7804DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7804DN-T1-E3价格参考1.31000美元。Vishay Siliconix SI7804DN-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8。您可以下载SI7804DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7792DP-T1-GE3是MOSFET 30伏特60安培104瓦，包括卷筒封装，它们设计用于SI7792DP-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有104W的Pd功耗，下降时间为12ns，上升时间为13ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为1.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为90nC，正向跨导Min为83S。
SI7798DP-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI7798DP-T1-E3采用SO-8封装，是IC芯片的一部分。
SI7802DN-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8。SI7802DN-T1-E3在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8、N沟道250V 1.24 A（Ta）1.5W（Ta）表面安装PowerPAK？1212-8，Trans MOSFET N-CH 250V 1.24A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。
