AOT14N50、AOB14N50和AOTF14N50采用先进的高压MOSFET工艺制造而成,该工艺旨在在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开启)、Ciss和Crss以及保证的雪崩能力,这些部件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
特色
•VDS600V@150℃
•ID(VGS=10V时)14A
•RDS(开启)(VGS=10V时)<0.38Ω
起订量: 800
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
800+ | 8.43529 | 6748.23920 |
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AOT14N50、AOB14N50和AOTF14N50采用先进的高压MOSFET工艺制造而成,该工艺旨在在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开启)、Ciss和Crss以及保证的雪崩能力,这些部件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
•VDS600V@150℃
•ID(VGS=10V时)14A
•RDS(开启)(VGS=10V时)<0.38Ω
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