9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLR024TRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLR024TRLPBF参考价格为0.89430美元。Vishay Siliconix IRLR024TRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK。您可以下载IRLR024TRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRLR024NTRRPBF是MOSFET N-CH 55V 17A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供38 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为74 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds漏极漏极-漏极电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为7.1ns，Qg栅极电荷为10nC，沟道模式为增强。
IRLR024PBF是MOSFET N-CH 60V 14A DPAK，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为23 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为110 ns，器件的漏极-源极电阻为100 mOhms，Pd功耗为2.5 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为14A，下降时间为41ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRLR024TR是MOSFET N-CH 60V 14A DPAK，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了41纳秒的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，如14 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为2.5W，Rds漏极-源极电阻为100mOhms，上升时间为110ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为11ns，单位重量为0.050717oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为10V。
IRLR024TM带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRLR024TMSOT-252封装，是IC芯片的一部分。
