9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM120U10SCAVG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM120U10SCAVG参考价格为381.66333美元。微芯片技术APTM120U10SCAVG封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 116A SP6。您可以下载APTM120U10SCAVG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTM120TA57FPG是MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P，包括散装封装，它们设计为与SP6封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），提供安装型功能，如底盘安装，供应商设备封装设计为在SP6-P中工作，该器件还可以用作390W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），该器件提供5155pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为17A，最大Id Vgs的Rds为684 mOhm@8.5A，10V，Vgs最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg Vgs为187nC@10V。
APTM120TDU57PG带有用户指南，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP6-P供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于684 mOhm@8.5A，10V，提供功率最大功能，如390W，包装设计用于散装，以及SP6包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该设备提供5155pF@25V输入电容Cis-Vds，该设备具有187nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为6 N沟道（三相桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为1200V（1.2kV），25°C电流连续漏极Id为17A。
APTM120U10SAG是Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-Mosfet。APTM120U10SAG以SP6封装形式提供，是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet、N沟道1200V 116A（Tc）3290W（Tc）底盘安装SP6、Trans Mosfet N-CH 1.2KV 116A 4引脚外壳SP-6。
