9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT22F100J，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT22F100J参考价格为34.15500美元。Microchip Technology APT22F100J封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 23A ISOTOP。您可以下载APT22F100J英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT21M100J是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括散装封装，它们设计用于1.058219盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-227-4等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作1 N信道配置。此外，Pd功耗为462W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为1 kV，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-源极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为39ns，Qg栅极电荷为260nC，正向跨导Min为34S，沟道模式为增强。
APT20SCD65K是二极管硅650V 32A TO220，包括1.8V@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在650V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-220[K]的供应商设备包，该设备提供速度特性，如无恢复时间>500mA（Io），反向恢复时间trr设计为在0ns内工作，以及散装包装，该器件也可用作TO-220-2封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为400μa@650V，电流平均整流Io为32A，电容Vr F为680pF@100mV，1MHz。
APT-210D（带电路图）APT-2100D可在模块包中获得，是模块的一部分。
