9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMT6002LPS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMT6002LPS-13参考价格为0.89640美元。Diodes Incorporated DMT6002LPS-13封装/规格：MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8。您可以下载DMT6002LPS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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带有引脚细节的DMT5015LFDF-13，包括DMT50系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如U-DFN2020-6，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1.9 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.7 ns，上升时间为5.1 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏电流为9.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为15mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10.6ns，典型接通延迟时间为2.8ns，Qg栅极电荷为6.1nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMT5015LFDF-7，包括2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于16 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于50 V，提供典型的开启延迟时间功能，如2.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为10.6 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMT50系列，该器件的上升时间为5.1 ns，漏极-源极电阻Rds为15 mOhms，Qg栅极电荷为6.1 nC，Pd功耗为1.9 W，封装为卷轴式，封装盒为U-DFN2020-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9.1 A，下降时间为2.7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMT4S1K-F是CAP FILM 10000PF 10%400VDC RAD，包括通用应用，它们设计为在10000PF电容下工作，数据表说明中显示了用于金属化聚酯的介电材料，该材料提供了0.551“（14.00mm）的最大高度固定功能，引线间距设计为0.402”（10.20mm），以及通孔安装类型，其工作温度范围为-55°C~125°C。此外，包装箱是径向的，该设备提供散装包装，该设备具有系列DMT，尺寸尺寸为0.567“L x 0.331”W（14.40mm x 8.40mm），终端为PC引脚，公差为±10%，额定交流电压为200V，额定直流电压为400V。
