9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM50UM09FAG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM50UM09FAG参考价格为389.05333美元。微芯片技术APTM50UM09FAG封装/规格：MOSFET N-CH 500V 497A SP6。您可以下载APTM50UM09FAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTM50TAM65FPG是MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P，包括散装封装，它们设计为与SP6封装外壳一起工作，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），提供安装型功能，如底盘安装，供应商设备封装设计为在SP6-P中工作，该器件还可以用作390W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件提供7000pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为51A，最大Id Vgs的Rds为78mOhm@25.5A，10V，Vgs的最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg-Vgs为140nC@10V。
APTM50TDUM65PG带有用户指南，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP6-P供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于78 mOhm@25.5A，10V，提供功率最大功能，如390W，包装设计用于散装，以及SP6包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供7000pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有140nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为6 N沟道（三相桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为500V，25°C电流连续漏极Id为51A。
APTM50SKM19G，带有Microsemi制造的电路图。是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道500V 163A（Tc）1136W（Tc）底盘安装SP6。
