9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM100UM45FAG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM100UM45FAG参考价格为414.09000美元。微芯片技术APTM100UM45FAG封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 215A SP6。您可以下载APTM100UM45FAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTM100TA35SCTPG，带引脚细节，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于模块，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP6-P供应商设备包，该器件也可以用作6N沟道（3相桥）FET型。此外，功率最大值为390W，器件提供1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，器件具有5200pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为22A，最大Id Vgs上的Rds为420 mOhm@11A，10V，Vgs最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg-Vgs为186nC@10V。
APTM100TDU35PG带有用户指南，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP6-P供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于420 mOhm@11A，10V，提供功率最大功能，如390W，包装设计用于散装，以及SP6包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供5200pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有186nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为6 N沟道（三相桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为1000V（1kV），25°C电流连续漏极Id为22A。
APTM100UM45DAG是Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-Mosfet。APTM100UM45DAG以SP6封装形式提供，是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet、N沟道1000V 215A（Tc）5000W（Tc）底盘安装SP6、Trans Mosfet N-CH 1KV 215A 5引脚外壳SP-6。
