AOT22N50和AOTF22N50是使用先进的高压MOSFET工艺制造的,该工艺设计用于在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开)、Ciss和Crss以及保证的可用性,这些部件可快速用于新的和现有的离线电源设计。
虚拟数据集600V@150℃
ID(VGS=10V时)22A
RDS(开启)(VGS=10V时)<0.26Ω
起订量: 1000
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1000+ | 11.24329 | 11243.29900 |
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AOT22N50和AOTF22N50是使用先进的高压MOSFET工艺制造的,该工艺设计用于在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开)、Ciss和Crss以及保证的可用性,这些部件可快速用于新的和现有的离线电源设计。
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