9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BSH205G2VL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BSH205G2VL参考价格为0.10025美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司BSH205G2VL封装/规格：MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB。您可以下载BSH205G2VL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSH205G2R是MOSFET P-CH 20V 2A SOT23，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为TO-236AB，该设备为单配置，该设备具有MOSFET P沟道、FET型金属氧化物，最大功率为480mW，晶体管类型为1 P沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为418pF@110V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2A（Ta），最大Id Vgs的Rds为170 mOhm@2A，4.5V，Vgs的最大Id为950mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.5nC@4.5V，Pd功耗为890mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅源电压为8 V，并且Id连续漏极电流为-2.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-950mV，Rds漏极漏极-漏极电阻为120mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型导通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为3.7nC，并且前向跨导Min为4.5S，并且信道模式为增强。
BSH205125和NXP制造的用户指南。BSH205125采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
BSH205/WJO，带有NXP制造的电路图。BSH205/WJO采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
BSH205G2，带有NXP制造的EDA/CAD模型。BSH205G2在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
