9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD8444L-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDD8444L-F085参考价格为1.17390美元。onsemi FDD8444L-F085封装/规格：MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA。您可以下载FDD8444L-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD8444是MOSFET N-CH 40V 145A DPAK，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有153 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为78 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为145 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极源极导通电阻为5.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强型。
FDD8444_F085带用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为48 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为78 ns，器件的漏极-源极电阻为5.2 mOhms，Pd功耗为153 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为145 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDD8444L是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 40V 50A DPAK。FDD8444L采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 40V 50A DPak、N沟道40V 16A（Ta）、50A（Tc）153W（Tc）表面安装TO-252AA。
