9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP3011SFVWQ-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP3011SFVWQ-13参考价格为0.33495美元。Diodes Incorporated DMP3011SFVWQ-13封装/规格：MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333。您可以下载DMP3011SFVWQ-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP3008SFG-7是MOSFET MOSFET BVDSS：25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K，包括DMP3008系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerDI-3333，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件提供2.2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为8.5 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为-7.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-2.1 V，Rds导通漏极-漏极电阻为25 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为90 ns，典型接通延迟时间为10.5 ns，Qg栅极电荷为47 nC，正向跨导最小值为13 S，沟道模式为增强。
DMP3008SFGQ，带用户指南，包括-2.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.002540盎司，典型开启延迟时间设计为10.5 ns，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMP3008系列，该器件的上升时间为8.5 ns，漏极-源极电阻Rds为25 mOhms，Qg栅极电荷为47 nC，Pd功耗为2.2 W，封装为卷轴式，封装盒为PowerDI-3333，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-8.6 A，下降时间为40 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP3008SFGQ-13带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了40 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，如-8.6 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用PowerDI-3333封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为2.2W，Qg栅极电荷为47nC，Rds漏极源极电阻为25mOhm，上升时间为8.5ns，系列为DMP3008，技术为Si，晶体管极性为P信道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为10.5ns，单位重量为0.002540 oz，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Vgsth栅极-源阈值电压为-2.1 V。
