特征
·TrenchFET？功率MOSFET
·100%Rg和UIS测试
·材料分类：有关合规性的定义，请参见
应用
·一次侧开关
·同步整流器
·DC/DC转换器
·升压转换器
·DC/AC逆变器
（图片：引线/示意图）
SIR670DP-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 56.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 9.56062 | 9.56062 |
| 10+ | 8.56835 | 85.68351 |
| 100+ | 6.67940 | 667.94020 |
| 500+ | 5.51764 | 2758.82050 |
| 1000+ | 4.35602 | 4356.02500 |
| 6000+ | 4.35609 | 26136.58200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥9.56063
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.56
在线询价
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.8V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 63 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
- 包装/外壳 PowerPAKSO-8
- 供应商设备包装 PowerPAKSO-8
- 最大功耗 5W (Ta), 56.8W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 4.8毫欧姆 @ 20A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2815 pF@30 V
- 材质 -
SIR670DP-T1-GE3 产品详情
SIR670DP-T1-GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SIR36 | 布雷迪 (Brady) | (RUG) SIR36, INDUSTRIAL RUG, 36" | ¥2,955.03077 |
 | SIR36150 | 布雷迪 (Brady) | (RUG) SIR36150, INDUSTRIAL RUG, | ¥1,665.79457 |
 | SIR1-03-L-S-A-K-TR | 申泰 (Samtec) | SIR1-03-L-S-A-K-TR | ¥19.4834 |
 | SIR1-03-S-S-K-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: three 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥31.02858 |
 | SIR1-15-L-S | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: fifteen 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥65.91039 |
 | SIR1-10-L-S | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: ten 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥53.09046 |
 | SIR1-03-L-S-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: three 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥22.88351 |
 | SIR1-10-L-S-A-K-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: ten 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥42.53509 |
 | SIR1-10-L-S-A | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: ten 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥57.14648 |
 | SIR1-07-S-S-A-K-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: 7 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥45.1208 |
SIR670DP-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIR670DP-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIR670DP-T1-GE3价格参考￥9.560628，你可以下载 SIR670DP-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIR670DP-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
