9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT75M50B2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT75M0B2参考价格为11.89100美元。微芯片技术APT75M50B2封装/规格：MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX。您可以下载APT75M50B2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT75GT120JU2是IGBT 1200V 100A 416W SOT227，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于散装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司，提供安装类型功能，如螺丝，商标设计用于ISOTOP，以及ISOTOP封装盒，该设备也可以用作底盘安装安装类型。此外，供应商设备包为SOT-227，该设备以标准输入提供，该设备具有单一配置，功率最大值为416W，集电器Ic最大值为100A，集电器发射极击穿最大值为1200V，集电器截止最大值为5mA，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，NTC热敏电阻为No，Pd功耗为416 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为1.7 V，25 C下的连续集电极电流为100 A，且栅极发射极漏电流为500nA，且最大栅极发射极电压为+/-20V。
APT75GT120JU3是POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、75A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司，提供ISOTOP等商品名称功能，供应商设备包设计用于SOT-227，以及IGBT硅模块产品，该设备也可作为416W最大功率使用。此外，Pd功耗为416W，该设备采用ISOTOP封装盒，该设备有一个NTC热敏电阻，安装方式为螺钉，安装类型为底盘安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为+/-20V，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，输入为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极-发射极漏电流为500nA，集流器Ic最大值为100A，集流管截止电流最大值为5mA，25 C时的连续集流器电流为100A，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极-发射器饱和电压为1.7V。
APT75GT12OJRDQ3，带有APT制造的电路图。APT75GT22OJRQ3在模块包中提供，是模块的一部分。
