9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4890DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4890DY-T1-E3参考价格为1.56750美元。Vishay Siliconix SI4890DY-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC。您可以下载SI4890DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4890BDY-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4890BDY-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为10.7 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为12mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为20ms，Qg栅极电荷为20nC，沟道模式为增强。
Si4890DY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为8.5 ns，器件的漏极-源极电阻为12 mOhm，Qg栅极电荷为20 nC，Pd功耗为2.5 W，零件别名为SI4890DY-T1，封装为卷轴，封装盒为SOIC窄8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为17 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4890DY，带有SI制造的电路图。SI4890D可在SOP-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
SI4890DY-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4890DY-T1在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
