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APT47N60SC3G是MOSFET功率MOSFET-CoolMOS，包括卷轴封装，它们设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及单配置，该设备也可用作417 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为8 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为47 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3 V，Rds导通漏极-源极电阻为70m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为260nC，沟道模式为增强。
APT47N65BC3G是MOSFET功率MOSFET-CoolMOS，包括2.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于+/-20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为295 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为28 ns，器件的漏极-源极电阻为70 mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为250 nC，Pd功耗为417 W，通道数为1通道，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为47 a，并且下降时间是84ns，并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
APT47N65SCS3G，电路图，包括Si技术。
