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DMP1055USW-13

Name: DMP1055USW-13
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7149608-DMP1055USW-13
Price: 0.778612 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 12伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 660mW 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:5-7 工作日

渠道:

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规格参数

部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
场效应管类型 P-通道
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
漏源电压标 (Vdss) 12伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
漏源电流 (Id) @ 温度 3.8A (Ta)
包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
供应商设备包装 SOT-363
导通电阻 Rds(ON) 48毫欧姆 @ 3A, 4.5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1028 pF@6 V
最大功耗 660mW

DMP1055USW-13 产品详情

新一代100V P沟道增强型MOSFET的设计旨在最大限度地减少RDS（开启），同时保持优异的开关性能。该设备非常适合DC/DC电源管理和主板/服务器应用。

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型号	制造商	描述	价格
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DMP1055USW-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMP1055USW-13 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMP1055USW-13价格参考￥0.778612，你可以下载 DMP1055USW-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMP1055USW-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！