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APT8020B2LLG是MOSFET功率MOSFET-MOS7，包括0.373904盎司单位重量，它们设计用于通孔安装型，产品名称显示在数据表注释中，用于Power MOS 7，提供to-264-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及694 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为9 ns，器件的上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为38 a，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Vgs栅-源极阈值电压为5 V，Rds漏极-源极电阻为200mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为195nC，沟道模式为增强。
APT801R2BN，带有APT制造的用户指南。APT801R1BN采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
APT8020带有APT制造的电路图。APT8020可在模块包中获得，是模块的一部分。
