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FCPF260N60E是MOSFET低功率双输入逻辑门TinyLogic，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.080072盎司的情况，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供36 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为15 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为260mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为48nC，正向跨导最小值为15.5S。
FCPF22N60NT是MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如16.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为49 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为16.7ns，器件的漏极电阻为140mOhms，Pd功耗为39W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为22A，正向跨导最小值为22S，下降时间为4ns，配置为单一，信道模式为增强。
FCPF2250N80Z，电路图由Fairchild制造。FCPF2250N80Z以TO-220F封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET SuperFET2 800V 2250mOhm、N沟道800V 2.6A（Tc）21.9W（Tc）通孔TO-220F、Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3引脚（3+Tab）TO-220FP管、MOSFET Super 800V 2250m Ohm、齐纳嵌入、TO220F PKG”。
