9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT8020LFLLG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT88020LFLLG参考价格为40.39200美元。微芯片技术APT8020LFLLG封装/规格：MOSFET N-CH 800V 38A TO264。您可以下载APT88020LFLLG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如APT8020LFLLG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT8020B2LLG是MOSFET功率MOSFET-MOS7，包括0.373904盎司单位重量，它们设计用于通孔安装型，产品名称显示在数据表注释中，用于Power MOS 7，提供to-264-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及694 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为9 ns，器件的上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为38 a，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Vgs栅-源极阈值电压为5 V，Rds漏极-源极电阻为200mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为195nC，沟道模式为增强。
APT88020JLL是分立半导体模块功率MOSFET-MOS7，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供单位重量功能，如1.058219盎司，典型的开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS 7 ISOTOP，器件的上升时间为14 ns，器件的漏极源极电阻为200 mOhms，产品为功率MOSFET模块，Pd功耗为520 W，封装外壳为SOT-227-4，安装方式为螺旋式，Id连续漏极电流为33 a，下降时间为10 ns，配置为单一。
APT8020带有APT制造的电路图。APT8020可在模块包中获得，是模块的一部分。
APT88020JFLL是由APT制造的Trans-MOSFET N-CH 800V 33A 4引脚SOT-227。APT8020JFLL可在模块封装中获得，是模块的一部分，并支持Trans-MOSMOSFET N-CH 800 V 33A 4-引脚SOT-227。
