9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT10005JFLL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT10005JFLL参考价格$40.410000。微芯片技术APT10005JFLL封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP。您可以下载APT10005JFLL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT10005JLL是MOSFET功率MOSFET-MOS7，包括1.058219盎司的单位重量，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于SOT-227-4的封装盒，该SOT-2274提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及1 N通道配置，该器件也可以用作520 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件的下降时间为9 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为25 a，Vds漏极-源极击穿电压为1 kV，Vgsth栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-源极电阻为350m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为186nC，沟道模式为增强。
APT10045B2LLG是分立半导体模块功率MOSFET-MOS7，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，数据表注释中显示了用于1.3 V的Vf正向电压，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如1 kV，典型的开启延迟时间设计为10 ns，该设备还可以用作电源模块类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件的上升时间为5 ns，器件的漏极-源极电阻为450 mOhms，产品为功率MOSFET模块，Pd功耗为565 W，封装为散装，工作温度范围为-55 C至+150 C，Id连续漏极电流为23 a，下降时间为8 ns，配置为单一。
APT10400LVR带有由APT制造的电路图。APT10040LVR采用TO264封装，是IC芯片的一部分。
APT10043JVR是由APT制造的Trans-MOSFET N-CH 1KV 22A 4引脚SOT-227。APT10433JVR以模块封装形式提供，是模块的一部分，并支持Trans-MOSMOSFET N-CH 1KV 22A 4-引脚SOT-227。
