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SCTWA35N65G2VAG
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SCTWA35N65G2VAG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 600

数量 单价 合计
600+ 89.99303 53995.81980
  • 库存: 0
  • 单价: ¥89.99303
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥53,995.82
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 最大功耗 208W(Tc)
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 45A (Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-5伏
  • 供应商设备包装 TO-247 Long Leads
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 18伏、20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.2V@1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 73 nC @ 20 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1370 pF @ 400 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 72毫欧姆 @ 20A, 20V

SCTWA35N65G2VAG 产品详情

SCTWA35N65G2VAG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SCTWA35N65G2VAG 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SCTWA35N65G2VAG价格参考¥89.993033,你可以下载 SCTWA35N65G2VAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SCTWA35N65G2VAG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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