9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STI33N60M6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STI33N60M6价格参考2.90098美元。STMicroelectronics STI33N60M6封装/规格：MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK。您可以下载STI33N60M6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STI33N60M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.073511盎司，提供通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-262-3，以及Si技术，该设备也可用于1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有190 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为9.6 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为26 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为125mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为109ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为45.5nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的STI33N65M2，包括0.050717盎司单位重量，它们设计为使用Si技术操作，数据表说明中显示了用于MDmesh M2的系列，该M2提供了管等包装功能，包装盒设计为在I2PAK-3中工作，以及通孔安装样式。
STI 3400 DCV，带有ST制造的电路图。STI3400 DCV在QFP封装中提供，是IC芯片的一部分。
