SSM5H90ATU,LF

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 20伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
• 最大功耗 500mW (Ta)
• 制造厂商 东芝 (Toshiba)
• 工作温度 150摄氏度
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@1毫安
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4伏
• 供应商设备包装 UFV
• 漏源电流 (Id) @ 温度 2.4A（Ta）
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 200 pF@10 V
• 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 1.5A, 4V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.2 nC@4 V
• 包装/外壳 5-SMD, Flat Leads
• 容量 -
• 特点 -
• 宽 72
• 色彩/颜色 灰色