9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMV45EN2VL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PMV45EN2VL参考价格为0.11154美元。Nexperia USA Inc.PMV45EN2VL封装/规格：MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB。您可以下载PMV45EN2VL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PMV45EN2R是MOSFET N-CH 30V SOT23，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供Si等技术特性，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为TO-236AB（SOT23），该设备为单配置，该设备具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为510mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为209pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.1A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为42 mOhm@4.1A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.3nC@10V，Pd功耗为1.115 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5.1A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第th栅极-源阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型导通延迟时间为3ns，Qg栅极电荷为3.6nC，前向跨导Min为8.7S，信道模式为增强。
带有PHILIPS制造的用户指南的PMV45EN215。PMV45EN.215采用SOT-23-3封装，是IC芯片的一部分。
PMV45EN/W4N，带有NXP制造的电路图。PMV45EN/W4N在SOT23-3封装中提供，是IC芯片的一部分。
PMV45EN2，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PMV45EN2在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
