9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBC40ASTRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBC40ASTRRPBF参考价格2.91978美元。Vishay Siliconix IRFBC40ASTRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK。您可以下载IRFBC40ASTRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFBC40APBF是MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为6.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
IRFBC40ASPBF是MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为31 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为23 ns，器件的漏极-源极电阻为1.2欧姆，Pd功耗为125 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.2A，下降时间为18ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFBC40ASTRLPBF是MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK，包括增强信道模式，它们设计为单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于18 ns，提供连续漏电流特性，如6.2 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，Pd功耗为125W，Rds漏极-源极电阻为1.2欧姆，上升时间为23ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为13ns，单位重量为0.050717oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IRFBC40AS是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK。IRFBC40A可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 6.2A D2PAK，N通道600V 6.2A（Tc）125W（Tc，表面安装D2PAK）。
