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BUK762R6-60E,118

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 324W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥6.51861
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.52
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 140 nC@10 V
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.6毫欧姆@25A,10V
  • 最大功耗 324W (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10170 pF@25 V

BUK762R6-60E,118 产品详情

BUK762R6-60E,118所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BUK762R6-60E,118 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BUK762R6-60E,118价格参考¥6.518610,你可以下载 BUK762R6-60E,118中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BUK762R6-60E,118规格参数、现货库存、封装信息等信息!

恩智浦 (NXP)

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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