9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2067LVT-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2067LVT-13参考价格为0.11628美元。Diodes Incorporated DMP2067LVT-13封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26。您可以下载DMP2067LVT-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP2066LDM-7是MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26，包括DMP2066系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-6等封装盒功能，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在SOT-26供应商设备包中提供，该设备具有单四漏极配置，FET类型为MOSFET P信道、金属氧化物，最大功率为1.25W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为820pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为40 mOhm@4.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.1nC@4.5V，Pd功耗为1.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.9 ns，上升时间为9.9ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为4.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为4.4ns，沟道模式为增强。
DMP2066LDMQ-7和用户指南，包括Si技术，它们设计用于DMP2066系列，包装如数据表说明所示，用于卷筒。
DMP2066LDM-7-F，电路图由DIODES制造。DMP2066LDM-7-F采用SOT163封装，是IC芯片的一部分。
